| 番号 |
写真
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装置名 |
概 略 仕 様 |
課金対象 |
運用状況 |
| ウエットプロセス装置 |
| 1 |
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ウェハディップ洗浄装置 |
ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：ウェットエッチング液による5枚バッチ処理ディップ洗浄･スピン乾燥、前処理用汎用無機ドラフト付属、洗浄プロセス：硫酸/過酸化水素水、希釈フッ酸による洗浄と超純水リンス洗浄 |
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| 2 |
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ウェハスピン洗浄装置 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェットエッチング液による枚葉処理スピン洗浄･乾燥、洗浄プロセス：アンモニア/過酸化水素水、塩酸/過酸化水素水、希釈フッ酸による洗浄と超純水リンス洗浄 |
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| 3 |
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有機ドラフト |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェハの手動有機洗浄作業と有機溶剤含有塗布剤スピンコーティングが可能な局所排気装置、作業面幅1800mm |
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| 4 |
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異方性ウェットエッチング装置 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：恒温薬品槽へのウェハディッピングによるシリコン異方性エッチング、超純水リンス洗浄、5枚バッチ全自動搬送処理、ウェハ処理槽内搖動による均一エッチング、エッチング液：TMAH |
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| 5 |
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IPAベーパー乾燥機 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェハを5枚バッチ処理でIPAベーパー雰囲気に晒して水分を除去･乾燥、特徴：ウェハスピン洗浄装置及び異方性ウェットエッチング装置と共通のウェハカセットを使用 |
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| 6 |
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無機ドラフト |
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| リソグラフィ装置 |
| 7 |
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i-線ステッパ |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：i-線(紫外線)によるレチクルパターンの1/5縮小投影露光、最小解像線幅：0.35μm、使用レチクル：6インチ角、標準レジスト厚さ：１μm |
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| 8 |
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マスク露光装置 |
ウェハ寸法：6、8インチウェハ、機能：ウェハへのマスクアライメント、1：1転写露光、ラージギャップ、高段差露光、裏面アライメント対応、露光モード：バキューム/ハードコンタクト/プロキシミティ露光、アライメント精度：±0.5μm以内、標準レジスト厚さ：1μm、10μm |
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| 9 |
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マスクレス露光装置 |
ウェハ寸法：最大12インチウェハ、機能：DLP光源によるパターン直描露光、描画エリア：最大500mm角、最小線幅：1μm |
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| 10 |
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コーターディベロッパ |
ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：レジスト2種類選択塗布、アルカリ現像液2種類選択、HMDS処理、ベーク処理、カセット･ツー･カセット自動搬送処理 |
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| 11 |
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光学顕微鏡 |
ウェハ寸法：最大12インチウェハ、機能：光学顕微観察、画像処理機能付属、倍率：50-1000倍、ステージストローク：350×300mm |
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| 12 |
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大面積コーターディベロッパー |
対応基板：□500mm、φ300mm、φ200mm 基板搬送：専用治具による手動搬送 塗布性能：レジスト厚さ1～10μm±1-2% リンス機能：エッジリンス、バックリンス（円形基板のみ対応） ベーク温度：120～200±1℃ |
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| 13 |
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スプレーコータ |
ウェハ寸法：4、6、8インチウェハ 機能：３軸ロボットとスプレーガンによるレジスト塗布 塗布膜厚：5～10μm 塗布温度：40～80℃ |
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| ドライプロセス装置 |
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Si酸化膜プラズマCVD装置 |
ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：TEOS液体ソースのプラズマCVDによるSi酸化膜低温形成、成膜温度：200℃ |
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スパッタ |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：3チャンバ構成マグネトロンスパッタによるウェハへの各種金属膜、絶縁膜形成、ターゲットへのDC/RF電圧選択印加可能 |
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酸化炉 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：Siウェハへの熱酸化膜形成、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、水素ガス燃焼による水蒸気利用ウェット酸化とドライ酸化、酸化温度：最高1150℃ |
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| 17 |
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アニール炉 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：Siウェハの雰囲気中アニール処理、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、アニール温度：最高1150℃ |
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| 18 |
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Si窒化膜減圧CVD装置 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：減圧CVDによるSiウェハへの窒化膜形成、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、内部応力制御成膜可能 |
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| 19 |
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ポリSi減圧CVD装置 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：減圧CVDによるSiウェハへのリンドープ･ポリシリコン膜形成、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様 |
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金属膜ドライエッチング装置 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ハロゲン系ガスのICP高密度プラズマによる難加工金属膜のドライエッチング加工、ウェハの腐食防止アッシング加工、カセット･ツー･カセット搬送処理、エッチング終点判定機能 |
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Si酸化膜ドライエッチング装置 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：フッ素系ガスによるICPドライエッチング、Si酸化膜・Si窒化膜の非ボッシュプロセスによるエッチング加工、カセット･ツー･カセット搬送処理、エッチング終点判定機能 |
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8"Si深掘ドライエッチング装置 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：フッ素系ガスのICP高密度プラズマによるドライエッチング加工、ボッシュプロセス深堀加工、カセット･ツー･カセット搬送処理、プラズマ発光分光検出、ウェハエッジ保護機能付属 |
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12"Si深掘ドライエッチング装置 |
ウェハ寸法：12インチウェハ、機能：フッ素系ガスのICP高密度プラズマによるドライエッチング加工、ボッシュプロセス深堀加工、カセット･ツー･カセット搬送処理、プラズマ発光分光検出機能付属 |
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| 24 |
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犠牲層ドライエッチング装置 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：フッ酸ベーパーによるSi酸化膜犠牲層のドライエッチング、終点判定機能付属 |
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アッシャー |
ウェハ寸法：8、12インチウェハ、能：ウェハの酸素プラズマアッシング、2バッチ処理可能 |
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| 評価装置（前工程） |
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光学検査顕微鏡 |
ウェハ寸法：4、6、8インチウェハ、機能：光学顕微鏡観察によるウェハ自動欠陥検査、測定エリア：最大8インチ、最小検出欠陥寸法：2μm |
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段差測定器 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：触針式ウェハ表面形状評価、表面プロファイル及びストレスマッピング機能、先端角20度の鋭角スタイラス付属、測定レンジ：5－300μm、再現性：最小レンジで1nmσ |
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エリプソメーター |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：自動エリプソメトリー、膜厚測定精度：±1nm/100nm厚さ |
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膜厚測定器 |
ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：反射分光方式非接触膜厚測定、分光曲線フィッティングによる屈折率及び膜厚測定、測定エリア：8インチ径以内、測定膜厚：10nm－40μm、繰り返し精度：0.1% |
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ウェハ塵埃検査装置 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェハ面上の塵埃数測定、ステージ移動によるマッピング及び粒子径分布ヒストグラム表示、カセット･ツー･カセット搬送処理、検出粒子径：0.079－5.0μm |
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干渉型表面形状評価装置 |
ウェハ寸法：最大8インチウェハ、機能：白色干渉型非接触表面プロファイル測定、垂直分解能：0.1nm |
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シート抵抗プローバー |
ウェハ寸法：最大8インチウェハ、機能：セミオート4探針抵抗率／シート抵抗測定、測定範囲：1m-10MΩ/□、測定精度：±1%以下 |
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赤外線レーザ顕微鏡 |
ウェハ寸法：最大12インチウェハ、機能：赤外線レーザによる共焦点顕微観察、各種表面プロファイル分析 |
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レーザ顕微鏡 |
ウェハ寸法：最大12インチウェハ、機能：可視光線レーザによる共焦点顕微観察、各種表面プロファイル分析、光源波長：405nm |
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| 加工装置 |
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ブレードダイサー |
ウェハ寸法：最大12インチウェハ、機能：ダイヤモンドブレードによるウェハ切断、ステージ分解能：0.1μm、送り速度：0.1－600mm/s |
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レーザステルスダイサー |
ウェハ寸法：3－8インチウエハ、機能：レーザによる低ダメージ･ドライ切断、カセット･ツー･カセット搬送処理、ステージ分解能：0.1μm、送り速度：1－1000mm/s |
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光学顕微鏡 |
ウェハ寸法：最大12インチウエハ、機能：光学顕微観察、画像処理機能付属、倍率：50-1000倍、ステージストローク：350×300mm |
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大面積ナノインプリント装置 |
基盤寸法：最大200mm角、機能：熱および光ナノインプリントによる微細パターン形成、加工温度：200℃、最大圧力：5MPa |
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| 実装装置 |
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電子ビーム/抵抗蒸着装置 |
ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：電子ビーム及び抵抗加熱方式真空蒸着、8インチ3枚バッチ、12インチ枚葉処理、成膜速度例：30－60nm/分 |
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熱処理装置 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：真空及びN2ガス雰囲気での熱処理、10枚バッチ処理、横型、真空チューブ仕様、最大加熱温度：600℃ |
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チップtoウェハ接合装置 |
ウェハ寸法：6、8、12インチ、機能：チップ/ウェハ接合、チップ寸法：1-20ｍｍ角、接合温度：60-450℃、アライメント精度：±0.5μm |
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ウェハtoウェハ接合装置 |
ウェハ寸法：6、8インチ、機能：ウェハ/ウェハ低温接合（陽極接合、プラズマ接合）、接合チャンバ内アライメント機能付属、接合温度：60-250℃、アライメント精度：±0.5μm |
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光表面処理装置 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：DeepUV 光照射、ベーキング処理 |
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12"ウェハ常温接合装置 |
ウェハ寸法：4,6,8,12インチウェハ、機能：ウェハ／ウェハ常温接合（表面活性化接合）、最大接合荷重：200kN、アライメント精度：±1μm |
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| 評価装置（後工程） |
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測長SEM |
ウェハ寸法：4、6、8インチウェハ、機能：走査型電子顕微鏡による寸法測定、測長範囲：0.1－2.0μm、解像分解能：3nm、観察倍率：1000－300000倍 |
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分析SEM |
ウェハ寸法：4、6、8、12インチウェハ、機能：走査型電子顕微鏡による表面観察、元素分析、結晶解析ユニット、チップ観察ホルダ付属、観察倍率：30－300000倍 |
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超音波顕微鏡 |
ウェハ寸法：8、12インチ、機能：接合されたウエハなどの内部欠陥（ボイド、クラック、剥離など）の観測 |
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赤外線顕微鏡 |
ウェハ寸法：8インチ、機能：赤外線光源による顕微観察、画像処理機能付属 |
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薄膜応力評価装置 |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：レーザ光によるウェハ反り量の非接触計測、内部応力値への換算評価、加温中のin-situ計測による応力変化の温度履歴評価機能付属、最高加熱温度：600℃ |
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X線CT評価装置 |
ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：X線CTスキャン顕微鏡観察、チップホルダ付属、取込立体画像/CAD図形変換、観察エリア：最大8インチ、最高分解能：1μm |
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テスタープローバー |
ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：プローブカードによる大気中でのウェハレベル電気的特性評価、セミオートウェハ搬送処理、容量計測・周波数解析機能、音響加振機能付属 |
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光学顕微鏡 |
ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：長焦点深度の光学顕微観察、画像処理機能付属、倍率：35-2500倍、ステージストローク：300×250mm |
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圧電定数評価装置 |
ウェハ寸法：4-8インチウェハ、機能：ダブルビームレーザ変位計測による特性評価、評価特性：変位、分極特性、誘電率、損失係数、圧電係数d33 |
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全反射蛍光Ｘ線分析装置 |
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MNOIC研究支援可能な 8/12インチMEMSライン設備の一覧表です。
