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 利用可能な設備の詳細
11. Si酸化膜プラズマCVD装置

【装置名】 Si酸化膜プラズマCVD装置
【概略仕様】
ウェハ寸法:8、12インチウェハ、機能:TEOS液体ソースのプラズマCVDによるSi酸化膜低温形成、成膜温度:150℃

 
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