MMC > MNOICメイン > ご利用案内 > 利用可能な設備の詳細 >

ご利用案内

 利用可能な設備の詳細
24. 犠牲層ドライエッチング装置

【装置名】 犠牲層ドライエッチング装置
【概略仕様】
ウェハ寸法:4、6、8インチウェハ、機能:フッ酸ベーパーによるSi酸化膜犠牲層のドライエッチング、終点判定機能付属

 
MNOICメイン  ご利用案内  提供サービス  設備概要  お問合せ・アクセス

一般財団法人マイクロマシンセンター サイトマップ センターアクセス お 問 合 せ
Copyright c Micromachine Center. All rights reserved.